- 發布:2026年09月04日
- 5人觀看
商傳媒|吳承岳/台北報導據外媒報導,中國最大動態隨機存取記憶體(DRAM)製造商長鑫儲存(CXMT),已開始進行第五代高頻寬記憶體HBM3E的先期試產。這項發展預計將對目前由韓國三星與SK海力士主導的全球高頻寬記憶體(HBM)市場帶來新的競爭壓力。 報導指出,長鑫儲存的HBM3E已進入風險生產(risk production)階段。阿里巴巴集團旗下的半導體設計公司平頭哥半導體,以及中國人工智慧(AI)晶片業者寒武紀科技,正在使用自家的處理器進行測試。如果驗證過程順利,長鑫儲...









