台積電法說會釋出擴廠也把德州納入考慮，而第三季營收成長幅度、毛利率表現、資本支出規劃與未來展望，持續奠定了在半導體界的絕對霸權。
【文／周佳蓉】
台積電第三季法說不意外地，繳出營收與獲利雙雙新高的好成績，亮麗的財務數字，不僅展現出極強的定價能力，更為未來三年的資本支出與技術擴張提供了底氣。本次法說會上，台積電重申2026年資本支出為600億至640億美元，未來三年的資本支出強度將明顯高於過去三年，顯示對訂單能見度高度有信心。
面對全球AI浪潮，公司正全力發揮先進製程規模經濟，提到全球近20座晶圓廠正在建置當中，未來數年台灣將有13座，海外另有5～6座晶圓廠開出。二奈米家族去年第四季進入量產，在新竹、高雄分階段爬坡，相關年產能預期27年翻倍，為支應三奈米長期需求，台積電另建三座新廠，分別在台灣、美國與日本，跨節點部分則把五奈米設備轉為支援三奈米。
海外建廠評估德州新據點
尤其是海外部分，美國亞利桑那州第二座晶圓廠已完成建廠並進入設備安裝，第三座新廠估最快28年加入貢獻，優於先前目標，同時，董事長魏哲家證實已派團隊赴德州評估設廠，並針對全球首富馬斯克旗下Terafab（特斯拉、SpaceX合資晶圓廠）的合作展開討論，但底線堅持「由台積電親自營運」，確保技術與管理留在台積。
當需求快速上升，投資與產業界特別關心的是台積電的護城河究竟是不同節點、封裝與客戶時程靈活配置的能力？還是土地、設備的整合能力？10月法說給出的線索，從N2、A14一路延伸到CoWoS、矽光子與High-NA EUV；不是一條單純的節點，而是多條技術支線同時往前跑。
在先進製程方面，台積電在N2首次由FinFET轉向Nanosheet（GAA）架構，下一步A14將採用第二代奈米片與NanoFlex Pro技術，首度於25年北美技術論壇提及的A14，預定27年進入風險試產、28年量產，並已在本次法說會證實，台積在今年四月的北美論壇進一步宣布A13、A12與N2U製程的推進時程，最快28～29年才會步入量產。
而在追求極致效能的A16（16埃米）將是台積電第一個導入超級電軌（Super Power Rail）的技術節點。與傳統晶片將電源線與訊號線布線於正面不同，超級電軌將整個電源供應網絡轉移至矽晶圓背面，實現電路與訊號線的完美分離，該技術專為HPC/AI加速器打造，今年下半年生產就緒，但實際放量取決於客戶產品周期。其實，主要晶圓廠都已把背面供電（BSPDN）技術列為二奈米之後的必要技術，最早的是國際大廠Intel預計率先在20A製程中導入Power Via但後來取消、三星則計畫要到27年二奈米SF2Z導入，時程較落後。法說會上，法人追問電力供應吃緊是否會讓更多客戶加速採用超級電軌，魏哲家答道「不會」，強調採用與否取決於產品需求，部分AI加速器可能採用，iPhone等手機產品則不需要。
相較A16，A14熱度更高。魏哲家觀察到A14的客戶參與度比二奈米活躍，並重申A14將比現有N2更受歡迎。營收結構顯示換代加速：2026年第一季，七奈米以下製程占營收74%，其中五奈米占36%仍是最大主力，三奈米占25%；到第三季，七奈米以下升至79%，三奈米以33%躍居最大節點，五奈米降到28%，七奈米占10%。二奈米從第二季才開始貢獻營收，第三季已達8%。若A14客戶參與比二奈米踴躍，下一輪換代力道可望更強。
大面積光罩競賽開始
在摩爾定律進程放緩之際，先進封裝已成為提升AI算力的關鍵戰場。台積電已量產5.5倍光罩尺寸的CoWoS，良率達98%以上。光罩尺寸是以光刻設備單次曝光面積為基準，倍數越高，代表中介層面積越大，也凸顯CoWoS供需出現新變數，因為晶片廠商增加晶片堆疊與Chiplet促使台積電持續發展CoWoS-L等新架構，提升大型封裝的整合與量產能力，為了滿足客戶對整合更多邏輯晶粒與高頻寬記憶體（HBM）的需求，台積電正朝九倍尺寸開發，並規劃於28年推出可整合多達20個HBM的14倍光罩尺寸CoWoS，29年則規劃推出大於14倍的CoWoS與40倍光罩尺寸的SoW-X互補。（全文未完）
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